Volete approfondire la conoscenza della tecnologia LED nel mondo dell’illuminazione e di tutti i nuovi sviluppi della ricerca internazionale in ambito accademico e industriale, senza perdervi la lezione in materia di un Premio Nobel?
La città di Padova vi attende allora presso la sua Università a seguire i lavori del simposio internazionale GaN Marathon. Gallium Nitride Technology in Europe, in programma nelle giornate di mercoledì 27 e giovedì 28 aprile 2016 per fare il punto su tutti i più recenti sviluppi relativi alla tecnologia dell’utilizzo del nitruro di gallio (GaN) sui substrati di zaffiro o di carburo di silicio.
Il Comitato organizzativo è formato da Enrico Zanoni, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso (DEI Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione dell’Università degli Studi di Padova).
La super maratona scientifica avrà luogo presso Palazzo del Bo (Università di Padova); i lavori saranno tenuti in lingua inglese. Nella prima giornata, mercoledì 27 aprile, l’articolazione dei lavori (dalle ore 9.00 fino alle 19.00) prevede una serie di distinte sezioni tematiche, tenute da alcuni dei massimi esponenti della ricerca scientifica e tecnologica negli ambiti accademici e nel contesto delle grandi aziende del comparto.
Le sezioni sono:
GAN MICROWAVE DEVICES I (relatori Claudio Lanzieri – Finmeccanica, Roma; Mike Uren – Università di Bristol; Colombo Bolognesi – ETHZ Zurigo; Frank Altmann – IMWS, Halle – Germania),
GAN OPTOELECTRONICS I (relatori Aldo di Carlo -Università di Roma Due; Michele Goano – Politecnico di Torino; Jan Sonsky – NXP, Olanda; Marianne Germain – Epigan, Belgio).
Nel pomeriggio, i lavori proseguiranno con:
POWER ELECTRONICS II (relatori Lea di Cioccio – LETI, Francia; Thomas Detzel – Infineon Technologies, Austria; Paul Bleus – CE+T Power, Belgio; Ferdinando Iucolano – STMicroelectronics; Steve Stoffels – IMEC, Belgio; Gaudenzio Meneghesso e Enrico Zanoni – Università di Padova;
GAN MICROWAVE DEVICES II (relatori Michel Buchta – UMS, Ulm, Germania; Farid Medjdoub – IEMN, Lille, Francia; Sylvain Delage – III-V Lab, Palaiseau, Francia; Rüdiger Quay – IAF, Friburgo, Germania;
GAN OPTOELECTRONICS II (relatori Bastian Galler – OSRAM OS, Regensburg, Germania; Matteo Meneghini – Università di Padova; David Gachet – Attolight, Svizzera; Michael Kneissl – TU Berlino; Preethi Padmanabhan, Edoardo Charbon, Shouleh Nikzad, Douglas Bell e Bruce Hancock – del TU Delft, Olanda e della JPL, USA).
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La successiva giornata del 28 aprile prevede due distinti momenti:
Ore 11.00 – presso l’Aula Magna di Palazzo del Bo – con la Cerimonia della consegna della Laurea Magistrale Honoris Causa al prof. Hiroshi Amano, Premio Nobel per la Fisica 2014, con Isamu Akasaki e Shuji Nakamura per l’invenzione dei LED a luce blu.
Nel pomeriggio, ci sarà poi lo svolgimento della seconda sessione del Simposio “Gallium Nitride technology in Europe”, con il Workshop che prevede gli interventi di:
Hiroshi Amano (Università di Nagoya)
Bo Monemar (Università di Linkoping)
Oliver Ambacher (Fraunhofer Institute)
Berthold Hahn (OSRAM Opto Semiconductors)
Davide Wallis (Università di Cambridge).
Herbert Pairitsch (Infineon Austria)
Concluderà i lavori l’intervento del prof. Enrico Zanoni (Università di Padova).
Registration fee: € 240.00 (€120 for students), includes coffee breaks and lunches. For registering, please fill the attached form and email it to gan@dei.unipd.it
